18N50/F18N50/18N50D

18A 500V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 deskripsi

VDMOSFET yang ditingkatkan N-channel Silikon ini, diperoleh dengan teknologi planar self-self-egois yang mengurangi

Kehilangan konduksi, meningkatkan kinerja switching dan meningkatkan energi longsoran salju. Yang sesuai dengan standar ROHS.

2 fitur

● Pergantian cepat

● Kemampuan ESD Peningkatan

● Rendah pada resistansi (RDSON≤0.35Ω)

● Pengisian Gerbang Rendah (TYP: 52NC)

● Kapasitansi transfer terbalik rendah (TYP: 16PF)

● Tes energi longsor pulsa tunggal 100%

● Tes 100% ΔVDS

3 aplikasi

● Digunakan di berbagai sirkuit switching daya untuk miniaturisasi sistem dan efisiensi yang lebih tinggi.

● Sirkuit sakelar daya adaptor dan pengisi daya.