MOSFET Daya Mode Peningkatan N-channel 120A 100V
1 Deskripsi
MOSFET daya mode peningkatan saluran-N ini Menggunakan desain teknologi Splite Gate yang canggih, memberikan RDSON yang sangat baik dan pengisian daya gerbang yang rendah. Yang sesuai dengan standar RoHS.
2 Fitur
● Peralihan Cepat
● Resistensi Rendah
● Biaya Gerbang Rendah
● Arus Longsoran Tinggi
● Kapasitansi Transfer Balik Rendah
● Uji Energi Longsor Pulsa Tunggal 100%.
● Tes ΔVDS 100%.
3 Aplikasi
● Mengalihkan catu daya
● Sistem manajemen daya inverter
● Kontrol perkakas listrik
● Aplikasi elektronik otomotif
| VDS |
RDS (aktif) ketik. |
PENGENAL |
| 100V |
3,7mΩ |
120A |