Λειτουργία βελτίωσης N-Channel Power MOSFET 120A 85V DHS045N88E TO-263

Λειτουργία βελτίωσης N-Channel Power MOSFET 120A 85V

1 περιγραφή 

Αυτές οι λειτουργίες βελτίωσης N-Channel Power Mosfets χρησιμοποίησαν προηγμένη τεχνολογία τεχνολογίας Trench Splite Gate, παρείχαν εξαιρετική φόρτιση RDSON και χαμηλής πύλης. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS. 

2 χαρακτηριστικά

● Γρήγορη εναλλαγή 

● Χαμηλή αντίσταση 

● Χαμηλή φόρτιση πύλης 

● Υψηλό ρεύμα χιονοστιβάδας 

● Χαμηλές ικανότητες μεταφοράς αντίστροφης μεταφοράς 

● Δοκιμή ενεργειακής δοκιμής 100% μονής παλμού Avalanche 

● δοκιμή 100% ΔVDS 

3 αιτήσεις 

● Σύγχρονη διόρθωση σε SMPS 

● Σκληρό διακόπτη και κύκλωμα υψηλής ταχύτητας 

● Λειτουργικά εργαλεία 

● UPS 

● Έλεγχος κινητήρα