শক্তি এবং সংকেত নিয়ন্ত্রণে MOSFET-এর ভূমিকা
আধুনিক ইলেকট্রনিক্স জগতে, MOSFET (ধাতু-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর) সবচেয়ে বহুমুখী এবং সমালোচনামূলক উপাদানগুলির মধ্যে একটি। ল্যাপটপ এবং স্মার্টফোন থেকে শুরু করে বৈদ্যুতিক যানবাহন, শিল্প অটোমেশন সিস্টেম এবং পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তি ইনভার্টার সব কিছুতে পাওয়া যায়, MOSFETগুলি সুইচিং, পরিবর্ধন এবং সুনির্দিষ্ট শক্তি-দক্ষ সার্কিট নিয়ন্ত্রণের জন্য অপরিহার্য।
ছাত্র, প্রকৌশলী এবং ইলেকট্রনিক্স উত্সাহীদের মধ্যে প্রায়শই একটি প্রশ্ন উত্থাপিত হয়: 'MOSFET AC নাকি DC?' এটি এই সত্য থেকে উদ্ভূত হয় যে MOSFETগুলি সরাসরি কারেন্ট (DC) এবং অল্টারনেটিং কারেন্ট (AC) উভয় অ্যাপ্লিকেশনে প্রায়ই একই সিস্টেমের মধ্যে উপস্থিত হয়৷ পার্থক্য বোঝার জন্য শুধুমাত্র MOSFET এর শারীরিক আচরণই নয় বরং সার্কিট ভোল্টেজ, কারেন্ট এবং ফ্রিকোয়েন্সির সাথে এটি যেভাবে ইন্টারঅ্যাক্ট করে তাও জানা প্রয়োজন।
এই বিস্তৃত নির্দেশিকাটি অন্বেষণ করবে কিভাবে MOSFETগুলি DC এবং AC সিস্টেমে কাজ করে, আচরণের পার্থক্য ব্যাখ্যা করবে এবং প্রদত্ত অ্যাপ্লিকেশনের জন্য সঠিক MOSFET বেছে নেওয়ার জন্য বিস্তারিত প্রযুক্তিগত অন্তর্দৃষ্টি প্রদান করবে। এই নিবন্ধের শেষে, পাঠকরা বুঝতে পারবেন যে MOSFET শুধুমাত্র AC বা DC কিনা, বরং আধুনিক ইলেকট্রনিক্স ডিজাইনে এর বহুমুখিতা এবং কীভাবে এটি দক্ষতা এবং সংকেত অখণ্ডতায় অবদান রাখে তাও বুঝতে পারবেন।
একটি MOSFET কি? একটি প্রযুক্তিগত ওভারভিউ
একটি MOSFET AC বা DC কিনা তার উত্তর দেওয়ার আগে, এটির অভ্যন্তরীণ গঠন, অপারেশনাল নীতিগুলি এবং বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যগুলি বোঝা গুরুত্বপূর্ণ৷
একটি MOSFET হল একটি ভোল্টেজ-নিয়ন্ত্রিত সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস যা দুটি টার্মিনালের মধ্যে কারেন্ট প্রবাহকে নিয়ন্ত্রণ করে: উৎস (S) এবং ড্রেন (D)। একটি পাতলা অন্তরক অক্সাইড স্তর দ্বারা চ্যানেল থেকে পৃথক করা গেট (G) টার্মিনাল এই প্রবাহকে নিয়ন্ত্রণ করে। BJTs (বাইপোলার জংশন ট্রানজিস্টর) থেকে ভিন্ন, যেগুলি বর্তমান-নিয়ন্ত্রিত, MOSFETগুলি ভোল্টেজ-চালিত, যা দ্রুত অপারেশন এবং কম বিদ্যুত খরচের অনুমতি দেয়।
এমওএসএফইটিগুলি এনালগ এবং ডিজিটাল সার্কিট উভয় ক্ষেত্রেই প্রয়োগ করা যেতে পারে এবং উচ্চ সুইচিং গতি, কম গেট ড্রাইভ এবং ন্যূনতম পরিবাহী ক্ষতির প্রয়োজন হয় এমন অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে এগুলি মৌলিক।
MOSFET স্ট্রাকচার এবং টার্মিনাল
একটি আদর্শ MOSFET চারটি টার্মিনাল নিয়ে গঠিত:
উৎস (এস): চার্জ ক্যারিয়ারের জন্য এন্ট্রি পয়েন্ট; সাধারণত স্থল বা রেফারেন্স ভোল্টেজের সাথে সংযুক্ত।
ড্রেন (ডি): বাহকদের জন্য প্রস্থান পয়েন্ট; লোড বা উচ্চ সম্ভাবনার সাথে সংযোগ করে।
গেট (G): একটি বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের মাধ্যমে চ্যানেলের পরিবাহিতা নিয়ন্ত্রণ করে; গেট নিরোধক কারণে অপারেশন জন্য ন্যূনতম বর্তমান প্রয়োজন.
বডি/সাবস্ট্রেট (বি): প্রায়শই উৎসের সাথে অভ্যন্তরীণভাবে সংযুক্ত থাকে; পরজীবী ক্যাপাসিট্যান্স এবং থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজকে প্রভাবিত করে।
গেট এবং চ্যানেলের মধ্যে সিলিকন ডাই অক্সাইড (SiO₂) অন্তরক স্তর বর্তমান প্রবাহের উপর সুনির্দিষ্ট ভোল্টেজ নিয়ন্ত্রণের অনুমতি দেয়। এই নকশা উচ্চ ইনপুট প্রতিবন্ধকতা, কম শক্তি খরচ, এবং দক্ষ সুইচিং সক্ষম করে, এমনকি উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সিতেও।
MOSFET অপারেটিং মোড
MOSFETগুলি তিনটি প্রধান অঞ্চলে কাজ করে, যা তাদের কার্যকারিতা নির্দেশ করে:
কাটঅফ মোড: গেট ভোল্টেজ থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজের নিচে (Vth)। MOSFET বন্ধ , এবং ড্রেন এবং উৎসের মধ্যে নগণ্য কারেন্ট প্রবাহিত হয়।
লিনিয়ার/ট্রায়োড মোড: গেট ভোল্টেজ থ্রেশহোল্ড অতিক্রম করে কিন্তু MOSFET একটি ছোট ড্রেন-সোর্স ভোল্টেজের সাথে কাজ করে। এটি একটি পরিবর্তনশীল প্রতিরোধকের মতো কাজ করে , গেট ভোল্টেজের সমানুপাতিকভাবে কারেন্ট নিয়ন্ত্রণ করে।
স্যাচুরেশন/অ্যাকটিভ মোড: গেট ভোল্টেজ চ্যানেলটি সম্পূর্ণরূপে খোলার জন্য যথেষ্ট, সর্বাধিক কারেন্ট প্রবাহের অনুমতি দেয় , যা স্যুইচিং বা পরিবর্ধনের জন্য আদর্শ।
AC বনাম DC সার্কিটে MOSFET আচরণের পূর্বাভাস দেওয়ার জন্য এই মোডগুলি বোঝা অপরিহার্য। মোড নির্বাচন ডিভাইসটি উচ্চ-গতির স্যুইচিং বা সংকেত মডুলেশনের জন্য ব্যবহার করা হয় কিনা তার উপর নির্ভর করে।
MOSFETs এর ডিসি অপারেশন
এমওএসএফইটিগুলি ডিসি সার্কিটে ইলেকট্রনিক সুইচ হিসাবে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। এই অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে, প্রাথমিক লক্ষ্য হল একটি ধ্রুবক ভোল্টেজ উত্সের উচ্চ দক্ষতা এবং সর্বনিম্ন শক্তির ক্ষতি সহ একটি লোডের প্রবাহ নিয়ন্ত্রণ করা।
কিভাবে MOSFETs ডিসি পাওয়ার নিয়ন্ত্রণ করে
ডিসি অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে, গেটে একটি ভোল্টেজ প্রয়োগ করা হয় উৎস এবং ড্রেনের মধ্যে চ্যানেলটি খোলে বা বন্ধ করে:
MOSFET এর ON এবং OFF অবস্থার মধ্যে দ্রুত স্যুইচ করার ক্ষমতা এটিকে DC সার্কিটের জন্য আদর্শ করে তোলে যেখানে সুনির্দিষ্ট শক্তি নিয়ন্ত্রণ অপরিহার্য। এই দ্রুত স্যুইচিং শক্তির ক্ষতি হ্রাস করে এবং সামগ্রিক সিস্টেমের দক্ষতা উন্নত করে, বিশেষ করে উচ্চ-বর্তমান অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে।
ডিসি অপারেশন বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য
থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ (Vth): MOSFET চালু করার জন্য ন্যূনতম গেট ভোল্টেজ প্রয়োজন।
Rds(চালু): MOSFET চ্যানেলের প্রতিরোধ সম্পূর্ণরূপে পরিচালনা করার সময়; পরিবাহী ক্ষতি প্রভাবিত করে।
গেট চার্জ (Qg): MOSFET কত দ্রুত সুইচ করতে পারে তা নির্ধারণ করে; কম চার্জ উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি অপারেশন করতে পারবেন.
এই পরামিতিগুলি নিয়ন্ত্রণ করে, প্রকৌশলীরা উচ্চ দক্ষতা, তাপীয় স্থিতিশীলতা এবং ন্যূনতম ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক হস্তক্ষেপ (EMI) সহ ডিসি সার্কিট ডিজাইন করতে পারেন।
সাধারণ ডিসি অ্যাপ্লিকেশন
পাওয়ার সাপ্লাই এবং DC-DC কনভার্টার: ন্যূনতম তাপের সাথে দক্ষতার সাথে ভোল্টেজ নিয়ন্ত্রণ করুন।
ব্যাটারি ম্যানেজমেন্ট সিস্টেম: ব্যাটারি সুরক্ষিত করুন এবং ইভিতে চার্জিং/ডিসচার্জিং পরিচালনা করুন।
মোটর এবং অ্যাকুয়েটর: পালস প্রস্থ মডুলেশন (PWM) সুনির্দিষ্ট গতি এবং টর্ক নিয়ন্ত্রণের অনুমতি দেয়।
LED ড্রাইভার: উচ্চ-দক্ষ আলো অ্যাপ্লিকেশনের জন্য স্থিতিশীল বর্তমান বজায় রাখুন।
ডিসি সার্কিটে MOSFET ব্যবহার করার সুবিধা
কম পরিবাহী ক্ষতি: উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতা প্রতিরোধী ক্ষতি হ্রাস করে।
উচ্চ সুইচিং গতি: দ্রুত PWM এবং দক্ষ শক্তি রূপান্তর সক্ষম করে।
কমপ্যাক্ট ডিজাইন: উচ্চ-ঘনত্বের ইলেকট্রনিক ডিভাইস সমর্থন করে।
ন্যূনতম ইনপুট পাওয়ার: ভোল্টেজ-নিয়ন্ত্রিত গেটগুলির নিয়ন্ত্রণের জন্য সামান্য শক্তির প্রয়োজন হয়, দক্ষতার উন্নতি হয়।
তুলনা সারণী: ডিসি সিস্টেমে MOSFET বনাম মেকানিক্যাল সুইচ
বৈশিষ্ট্য |
MOSFET |
যান্ত্রিক সুইচ |
স্যুইচিং স্পিড |
ন্যানোসেকেন্ড |
মিলিসেকেন্ড |
পাওয়ার লস |
কম |
উচ্চ |
আকার |
কমপ্যাক্ট |
ভারী |
আজীবন |
লক্ষ লক্ষ চক্র |
যান্ত্রিক পরিধান দ্বারা সীমিত |
নিয়ন্ত্রণ |
ভোল্টেজ-নিয়ন্ত্রিত |
ম্যানুয়াল বা ইলেক্ট্রোমেকানিক্যাল |
এসি সার্কিট মধ্যে MOSFET আচরণ
যদিও MOSFET গুলি সাধারণত DC অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহৃত হয়, তারা এসি সংকেত নিয়ন্ত্রণ এবং পরিবর্ধনেও একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে।
এমওএসএফইটি কি এসি সিগন্যাল পরিচালনা করতে পারে?
MOSFET গুলি সহজাতভাবে AC তৈরি করে না, বা তারা সাধারণ সুইচ হিসাবে বিকল্প কারেন্ট পরিচালনা করে না। পরিবর্তে, তারা সময়-পরিবর্তিত গেট ভোল্টেজের প্রতিক্রিয়া হিসাবে বর্তমান প্রবাহের পরিবর্তন করে এসি সংকেতগুলিকে মডিউল করে বা প্রশস্ত করে।
এসি সার্কিটে, এমওএসএফইটি রৈখিক (ট্রায়োড) মোডে কাজ করে, যা আউটপুট কারেন্টকে ইনপুট সিগন্যালের ভিন্নতা অনুসরণ করতে দেয়।
এগুলি অডিও অ্যামপ্লিফিকেশন, আরএফ সার্কিট এবং অ্যানালগ মডুলেশন সিস্টেমে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়, যেখানে সংকেত প্রশস্ততা এবং তরঙ্গরূপের সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণ অপরিহার্য।
এমওএসএফইটি কীভাবে এসি সিগন্যালের সাথে কাজ করে
এসি ভোল্টেজ কাপলিং ক্যাপাসিটারের মাধ্যমে গেটে প্রয়োগ করা হয়।
MOSFET সঞ্চালন গেট ভোল্টেজ তরঙ্গরূপের আনুপাতিকভাবে পরিবর্তিত হয়।
আউটপুট সিগন্যাল এসি ইনপুটকে মিরর করে, যা প্রশস্তকরণ বা তরঙ্গরূপ গঠনের অনুমতি দেয়।
ছোট-সংকেত মডেল এবং ট্রান্সকন্ডাক্টেন্স (জিএম) এসি আচরণের পরিমাণ নির্ধারণ করতে ব্যবহৃত হয়। ট্রান্সকন্ডাক্ট্যান্স আউটপুট কারেন্ট পরিবর্তনের সাথে ইনপুট ভোল্টেজ পরিবর্তনের অনুপাতকে সংজ্ঞায়িত করে, এসি ডিজাইনের একটি গুরুত্বপূর্ণ প্যারামিটার।
সাধারণ এসি অ্যাপ্লিকেশন
অডিও এবং আরএফ পরিবর্ধক
সংকেত মডুলেশন সার্কিট
এনালগ ফিল্টার এবং অসিলেটর
কম শব্দ যোগাযোগ ডিভাইস
তুলনা: AC বনাম DC MOSFET অপারেশন
বৈশিষ্ট্য |
ডিসি অ্যাপ্লিকেশন |
এসি অ্যাপ্লিকেশন |
অপারেটিং মোড |
সুইচিং (চালু/বন্ধ) |
রৈখিক পরিবর্ধন / মড্যুলেশন |
নিয়ন্ত্রণ |
গেট ভোল্টেজ পরিবাহিতা টগল করে |
গেট ভোল্টেজ আউটপুট তরঙ্গরূপ modulates |
পাওয়ার লেভেল |
উচ্চ (পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স) |
কম (সংকেত প্রক্রিয়াকরণ) |
তরঙ্গরূপ |
ধ্রুবক বা স্পন্দিত ডিসি |
সাইনুসয়েডাল বা বিকল্প |
উদাহরণ |
মোটর কন্ট্রোলার, কনভার্টার |
অডিও পরিবর্ধক, আরএফ ট্রান্সমিটার |
AC-DC রূপান্তর সার্কিটে MOSFETs
যদিও একটি MOSFET সরাসরি AC কে DC তে রূপান্তর করে না বা এর বিপরীতে, রূপান্তর সার্কিটে এটি অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।
রেকটিফায়ার (AC → DC)
MOSFETগুলি উচ্চতর দক্ষতার জন্য ডায়োডগুলি প্রতিস্থাপন করে সিঙ্ক্রোনাস রেকটিফায়ার হিসাবে কাজ করে।
কম Rds(চালু) এবং দ্রুত ট্রানজিশনের কারণে স্যুইচিং লস কম হয়।
সিস্টেমের দক্ষতা উন্নত করে, বিশেষ করে উচ্চ-শক্তি AC-DC কনভার্টারগুলিতে।
ইনভার্টার (DC → AC)
MOSFETs দ্রুত DC পরিবর্তন করে AC তরঙ্গরূপ তৈরি করে।
সোলার ইনভার্টার, ইউপিএস সিস্টেম এবং মোটর ড্রাইভে ব্যবহৃত হয়।
উচ্চ সুইচিং গতি সুরেলা বিকৃতি হ্রাস করে এবং তরঙ্গরূপ বিশ্বস্ততা উন্নত করে।
ব্লক ডায়াগ্রাম: DC ইনপুট → MOSFET স্যুইচিং → PWM → AC আউটপুট
MOSFET কর্মক্ষমতা প্রভাবিত মূল পরামিতি
প্যারামিটার |
ডিসিতে প্রভাব |
এসি-তে প্রভাব |
থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ (Vth) |
চালু/বন্ধ সুইচিং নির্ধারণ করে |
রৈখিক অপারেটিং পরিসীমা সংজ্ঞায়িত করে |
Rds(চালু) |
পরিবাহী ক্ষতি প্রভাবিত করে |
ছোট-সংকেত অপারেশনে কম গুরুত্বপূর্ণ |
গেট ক্যাপাসিট্যান্স |
স্যুইচিং গতি সীমাবদ্ধ করে |
উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি প্রতিক্রিয়া প্রভাবিত করে |
ট্রান্সকন্ডাক্টেন্স (গ্রাম) |
ন্যূনতম প্রভাব |
পরিবর্ধন লাভ নির্ধারণ করে |
থার্মাল রেজিস্ট্যান্স |
পাওয়ার হ্যান্ডলিংকে প্রভাবিত করে |
লোডের অধীনে রৈখিকতা এবং স্থায়িত্বকে প্রভাবিত করে |
সতর্কতার সাথে প্যারামিটার নির্বাচন নিশ্চিত করে যে MOSFET গুলি AC এবং DC উভয় অ্যাপ্লিকেশনেই দক্ষ এবং নির্ভরযোগ্য।
ইলেকট্রনিক্সে ব্যবহারিক কার্যকারিতা
ডিসি মোড
MOSFET একটি সুইচ হিসাবে কাজ করে, দক্ষতার সাথে লোডের বর্তমান প্রবাহ নিয়ন্ত্রণ করে।
ন্যূনতম ক্ষতি সহ উচ্চ কারেন্ট এবং ভোল্টেজের মাত্রা পরিচালনা করতে পারে।
এসি মোড
রৈখিক মোডে কাজ করে, ইনপুট এসি ভোল্টেজের অনুপাতে কারেন্ট মডিউল করে।
সংকেত পরিবর্ধন এবং মড্যুলেশনের জন্য ব্যবহৃত, যোগাযোগ এবং অডিও সিস্টেমে সমালোচনামূলক।
হাইব্রিড অ্যাপ্লিকেশন
অনেক সিস্টেম, যেমন ইনভার্টার, এসি এবং ডিসি কার্যকারিতা একত্রিত করে।
এমওএসএফইটিগুলি এসি আউটপুট ওয়েভফর্মগুলিকে দক্ষতার সাথে আকার দেওয়ার সময় ডিসি সরবরাহ পরিচালনা করে।
MOSFET অ্যাপ্লিকেশনে আধুনিক প্রবণতা
ওয়াইড ব্যান্ডগ্যাপ MOSFETs (SiC এবং GaN)
উচ্চ ভোল্টেজ, ফ্রিকোয়েন্সি এবং তাপমাত্রা সমর্থন করে।
হাইব্রিড এসি/ডিসি সিস্টেমের জন্য আদর্শ, যেমন বৈদ্যুতিক গাড়ির ইনভার্টার এবং পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তি সমাধান।
দক্ষতা উন্নত করুন, সিস্টেমের আকার হ্রাস করুন এবং দ্রুত স্যুইচিং সক্ষম করুন।
স্মার্ট পাওয়ার মডিউল
সরলীকৃত সিস্টেম ডিজাইনের জন্য কন্ট্রোল IC-এর সাথে MOSFETs একত্রিত করুন।
উপাদান গণনা হ্রাস, শক্তি দক্ষতা বৃদ্ধি, এবং সুনির্দিষ্ট শক্তি ব্যবস্থাপনা সমর্থন.
উপসংহার
একটি MOSFET নিজেই কঠোরভাবে এসি বা ডিসি নয়। এর আচরণ সার্কিট কনফিগারেশনের উপর নির্ভর করে:
ডিসি সার্কিটে, এটি একটি দ্রুত, দক্ষ সুইচ হিসাবে কাজ করে।
এসি সার্কিটে, এটি একটি রৈখিক পরিবর্ধক বা মডুলেটর হিসাবে কাজ করে, সংকেতকে আকার দেয় বা প্রশস্ত করে।
MOSFET-এর বহুমুখিতা তাদের আধুনিক ইলেকট্রনিক্সে অপরিহার্য করে তোলে, পাওয়ার ম্যানেজমেন্ট থেকে শুরু করে সিগন্যাল প্রসেসিং এবং উচ্চ-দক্ষ শক্তি সিস্টেমে। নির্ভরযোগ্য MOSFET সমাধান এবং বিশেষজ্ঞ প্রযুক্তিগত সহায়তার জন্য, Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. এসি এবং DC অ্যাপ্লিকেশনের বিস্তৃত পরিসরের জন্য উপযুক্ত উন্নত সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস সরবরাহ করে।
FAQs
প্রশ্ন 1: MOSFET কি AC বা DC সার্কিটের জন্য ব্যবহৃত হয়?
উত্তর: MOSFET উভয় ক্ষেত্রেই কাজ করতে পারে। ডিসি সার্কিটে, তারা সুইচ হিসাবে কাজ করে; এসি সার্কিটে, তারা সংকেতকে মডিউল করে বা প্রশস্ত করে।
প্রশ্ন 2: একটি MOSFET কি AC কে DC তে রূপান্তর করতে পারে?
উত্তর: সরাসরি নয়, তবে সিঙ্ক্রোনাস রেকটিফায়ারের মতো এসি-ডিসি রূপান্তর সার্কিটে MOSFETগুলি অপরিহার্য।
প্রশ্ন 3: কেন এন-চ্যানেল MOSFET ডিসি সার্কিটের জন্য পছন্দ করা হয়?
উত্তর: ইলেক্ট্রন গতিশীলতা গর্তের গতিশীলতার চেয়ে বেশি, প্রতিরোধ ক্ষমতা হ্রাস করে এবং দক্ষতা উন্নত করে।
Q4: MOSFETs কি উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি এসি সংকেত পরিচালনা করতে পারে?
উত্তর: হ্যাঁ, বিশেষ করে SiC এবং GaN MOSFETগুলি উচ্চ-গতির অপারেশনের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে।
প্রশ্ন 5: একটি MOSFET গেটে এসি লাগানো হলে কী হবে?
একটি: সঠিকভাবে পক্ষপাতদুষ্ট হলে, এটি আউটপুট পরিবর্তন করতে পারে; অনুপযুক্ত পক্ষপাতিত্ব ত্রুটি বা ক্ষতির কারণ হতে পারে।
প্রশ্ন 6: লিনিয়ার এসি অ্যাপ্লিকেশনের জন্য কোন MOSFET টাইপ আদর্শ?
উত্তর: অবক্ষয়-মোড বা রৈখিক-মোড MOSFETগুলি ন্যূনতম বিকৃতি সহ মসৃণ পরিবর্ধন প্রদান করে।
