Mosfet, dioda, IGBT, IGBT MODUL, SiC Mosfet

Predan temu, da postane vodilni v

MOČ

POLPREVODNIKI

Poglej več

PRISPEVAJ K ZELENEMU ŽIVLJENJU IN TRAJNOSTNEMU RAZVOJU

INOVACIJA, INTEGRITETA, NAVDUŠENJE, PREDANOST

Poglej več

Enojna cev/modul IGBT, SiC dioda /MOS, SGT MOS, Trench-MOS, super junction MOS, triterminalni napetostni regulator, FRD, SBD, SCR itd.

Poglej več

T0-220C, TO-220F, TO-220M, TO-3PN, TO-247, TO-251, T0-252, T0-263, TOLL, DFN5*6, DFN3*3, SOP-8, TO-92, itd.

GLAVNI PROIZVODI

GLAVNI PAKETI

㎡

Tlorisna površina

milijonov

Registrirani kapital

milijonov

Zmogljivost proizvodne linije

Pristnost izdelka

Profil podjetja

Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. je bilo ustanovljeno decembra 2004 na naslovu št. 88, Zhongtong East Road, Shuofang, okrožje Xinwu, mesto Wuxi, provinca Jiangsu.Zajema površino 15000 m2.Registrirani kapital je 81,5 milijona juanov.Ima letno proizvodno linijo 500 milijonov električnih naprav.Obstajajo štirje laboratoriji za preizkus karakteristik naprav, test zanesljivosti, test aplikacij in analizo napak.Donghai je visokotehnološko podjetje, ki se ukvarja z razvojem, oblikovanjem, pakiranjem, testiranjem in prodajo polprevodniških napajalnih naprav in integriranih vezij.

PREBERI VEČ

pregled podjetja

Center za izdelke

Strankam ponujamo celovito rešitev izdelkov, vključno z LV-MV MOSFET, HV MOSFET, IGBT Single/Module, FRD/SBD, SiC Diode/MOS/Module, GaN in IPM.

MOSFET

DIODA

IGBT

IGBT MODUL

SIC

Regulator napetosti IC

VSI IZDELKI

Naša prednost

Strogo upošteva standarda IATF16949: 2016 in 1S09001:2015.
Skladnost z okoljskimi predpisi, nabava okolju prijaznih materialov.

Nagrajeni 'Enterprise Technology Center' & 'Automotive Electronic Power Device Chip Engineering Technology Research Center'.Ima več kot 130 patentov.
Glavno tehnično osebje z več kot 20-letnimi izkušnjami na področju raziskav in razvoja/proizvodnje napajalnih naprav

Profesionalno

tehnologija

Močna

Produktivnost

Napredno

Oprema

Inovativnost

Raziskovanje

Dobra poprodaja

Storitev

Vroče prodajani polprevodniki in integrirana vezja

Napredna proizvodna tehnologija, boljši procesni pogoji in natančno optimizirane strukture naprav za stalno optimizacijo prevodnega upora izdelka, lastnosti preklopa, zanesljivosti in nenehno spodbujanje iteracije izdelka.

Izbrani izdelki

Nauči se več

-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B

Nauči se več

100V/15mΩ/50A N-MOSFET TO-252B

Nauči se več

40A 30V N-kanalni način izboljšave Power MOSFET DHD80N03 TO-252B

Nauči se več

80A 200V dioda za hitro obnovitev MUR80FU20NCT TO-3PN

Nauči se več

TRIAC serija 600V/800V 4A BT136-600E TO-220M

Nauči se več

Tripolni napetostni regulator IC L7815 TO-220M

Nauči se več

Tripolni napetostni regulator IC L7805CV TO-220M

Nauči se več

25A 100V N-kanalni način izboljšave moči MOSFET DHS250N10D TO-252B

Nauči se več

35A 100V P-kanalni način izboljšave MOSFET DH100P35 do-220C

Nauči se več

120A 70V N-kanalni način izboljšave moči MOSFET DHS130N06D TO-252B

Nauči se več

7,6 A 650 V N-kanalni Super Junction Power MOSFET DHFSJ8N65 TO-220F

Nauči se več

50A 650V bipolarni tranzistor z izoliranimi vrati G50T65D TO-3PN

Bipolarni tranzistor z izoliranimi vrati 50A 650V G50T65D TO-3PN

Nauči se več

120A 85V N-kanalni način izboljšave moči MOSFET DSG048N08N3 TO-220C

Nauči se več

145A 40V N-kanalni način izboljšave moči MOSFET DHS021N04P DFN5X6

145A 40V N-kanalni način izboljšave Power MOSFET DHS021N04P DFN5X6

Nauči se več

59A 100V N-kanalni način izboljšave Power MOSFET

Nauči se več

10A 600V dioda za hitro obnovitev MURD1060CT TO-252

Nauči se več

160A 30V N-kanalni način izboljšave moči MOSFET DH020N03P 5x6-8

Nauči se več

105A 68V N-kanalni način izboljšave Power MOSFET DHS055N07/ DHS055N07E /DHS055N07D

Nauči se več

100V/5,2mΩ/95A N-MOSFET DSP070N10L3A DFN5X6

Nauči se več

170A 40V N-kanalni način izboljšave moči MOSFET DHS020N04P DFN5*6

Nauči se več

Polprevodniške inteligentne sistemske rešitve za nadzor moči

Zabavna elektronika

Industrija

Nova energija

Avtomobilski

OGLED VEČ

Digitalni razstavni prostor

Če želite izvedeti več o naših proizvodnih zmogljivostih, lahko kliknete na avatar v prizoru ali sprejmete moje povabilo!

Potrebe strank so naše potrebe

24-urni inženir na spletu ponuja tehnično podporo
Veliko zalog za zagotovitev hitre dostave
Dobra kakovost za dolgoročno sodelovanje
Razumna cena za nižje stroške

VPRAŠAJTE ZDAJ

Novičarsko središče

Tekmovanje v jesenskem teku 2023

30. oktober 2023

2019 Dvodnevna tura Mount Huangshan Hongcun

Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., ki je bilo ustanovljeno decembra 2004, se nahaja na št. 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province.S površino 15.000 kvadratnih metrov in registriranim kapitalom 81,50 milijona juanov je visokotehnološko podjetje.

5. maj 2023

Poteka četrti pomladni festival 2021

5. maj 2023