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MUR8020CT
WXDH
Diodo de recuperação rápida 80A 200V
1 Descrição
Diodos ultrarrápidos de 80A, 200V Eles têm uma baixa queda de tensão direta e são de construção epitaxial plana, passivada com nitreto de silício, implantada com íons.Esses dispositivos destinam-se ao uso como diodos de direção/fixação de energia e retificadores em uma variedade de fontes de alimentação de comutação e outras aplicações de comutação de energia.Sua baixa carga armazenada e recuperação ultrarrápida com características de recuperação suave minimizam o toque e o ruído elétrico em muitos circuitos de comutação de energia, reduzindo assim a perda de potência no transistor de comutação
2 recursos
Baixa perda de energia,
alta eficiência Baixa tensão direta,
alta capacidade de corrente Alta capacidade de surto
Tempos de recuperação super rápidos
alta voltagem
3 aplicações
Trocando a fonte energética
Circuitos de comutação de energia
Fonte de alimentação do inversor
VBR | VF(único)(MÁX.) | SE(AV)(único) |
200 V | 1,0V | 40A |
Diodo de recuperação rápida 80A 200V
1 Descrição
Diodos ultrarrápidos de 80A, 200V Eles têm uma baixa queda de tensão direta e são de construção epitaxial plana, passivada com nitreto de silício, implantada com íons.Esses dispositivos destinam-se ao uso como diodos de direção/fixação de energia e retificadores em uma variedade de fontes de alimentação de comutação e outras aplicações de comutação de energia.Sua baixa carga armazenada e recuperação ultrarrápida com características de recuperação suave minimizam o toque e o ruído elétrico em muitos circuitos de comutação de energia, reduzindo assim a perda de potência no transistor de comutação
2 recursos
Baixa perda de energia,
alta eficiência Baixa tensão direta,
alta capacidade de corrente Alta capacidade de surto
Tempos de recuperação super rápidos
alta voltagem
3 aplicações
Trocando a fonte energética
Circuitos de comutação de energia
Fonte de alimentação do inversor
VBR | VF(único)(MÁX.) | SE(AV)(único) |
200 V | 1,0V | 40A |
foi fundada em dezembro de 2004, localizada em No. 88, Zhongtong East Road, Shuofang, distrito de Xinwu, cidade de Wuxi, província de Jiangsu.Abrange uma área de 15.000m2.O capital social é de 81,5 milhões de yuans.Tem uma linha de produção anual de 500 milhões de energia de
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., fundada em dezembro de 2004, está localizada em No. 88, East Zhongtong Road, cidade de Shuofang, distrito de Xinwu, cidade de Wuxi, província de Jiangsu.Com área de 15.000 metros quadrados e capital social de 81,50 milhões de yuans, é uma empresa de alta tecnologia.
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., fundada em dezembro de 2004, está localizada em No. 88, East Zhongtong Road, cidade de Shuofang, distrito de Xinwu, cidade de Wuxi, província de Jiangsu.Com área de 15.000 metros quadrados e capital social de 81,50 milhões de yuans, é uma empresa de alta tecnologia.
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., fundada em dezembro de 2004, está localizada em No. 88, East Zhongtong Road, cidade de Shuofang, distrito de Xinwu, cidade de Wuxi, província de Jiangsu.Com área de 15.000 metros quadrados e capital social de 81,50 milhões de yuans, é uma empresa de alta tecnologia.
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., fundada em dezembro de 2004, está localizada em No. 88, East Zhongtong Road, cidade de Shuofang, distrito de Xinwu, cidade de Wuxi, província de Jiangsu.Com área de 15.000 metros quadrados e capital social de 81,50 milhões de yuans, é uma empresa de alta tecnologia.
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., fundada em dezembro de 2004, está localizada em No. 88, East Zhongtong Road, cidade de Shuofang, distrito de Xinwu, cidade de Wuxi, província de Jiangsu.Com área de 15.000 metros quadrados e capital social de 81,50 milhões de yuans, é uma empresa de alta tecnologia.