Қол жетімділігі: | |
---|---|
Саны: | |
MUR8020CT
WXDH
80А 200 В жылдам қалпына келтіру диод
1 Сипаттама
80А, 200 В ультра жылдам диодтар Оларда төмен тікелей кернеудің төмендеуі бар және жазық, кремний нитриді пассивтелген, ионды имплантацияланған, эпитаксиалды құрылыс.Бұл құрылғылар әртүрлі коммутациялық қуат көздерінде және басқа қуат коммутациялық қолданбаларында энергияны басқару/қысу диодтары және түзеткіштер ретінде пайдалануға арналған.Олардың төмен жинақталған заряды және жұмсақ қалпына келтіру сипаттамалары бар ультра жылдам қалпына келтіру көптеген қуат коммутациялық тізбектеріндегі қоңырау мен электр шуды азайтады, осылайша коммутациялық транзистордағы қуат жоғалуын азайтады.
2 Мүмкіндіктер
Төмен қуат жоғалуы,
жоғары тиімділік төмен тікелей кернеу,
жоғары ток қабілеттілігі Жоғары кернеу қуаты
Өте жылдам қалпына келтіру уақыты
жоғары кернеу
3 Қолданбалар
Қуат көзін ауыстыру
Қуатты коммутациялау сұлбалары
Инверторлық қуат көзі
VBR | VF(бірлік)(MAX) | IF(AV)(бір) |
200 В | 1,0 В | 40А |
80А 200 В жылдам қалпына келтіру диод
1 Сипаттама
80А, 200 В ультра жылдам диодтар Оларда төмен тікелей кернеудің төмендеуі бар және жазық, кремний нитриді пассивтелген, ионды имплантацияланған, эпитаксиалды құрылыс.Бұл құрылғылар әртүрлі коммутациялық қуат көздерінде және басқа қуат коммутациялық қолданбаларында энергияны басқару/қысу диодтары және түзеткіштер ретінде пайдалануға арналған.Олардың төмен жинақталған заряды және жұмсақ қалпына келтіру сипаттамалары бар ультра жылдам қалпына келтіру көптеген қуат коммутациялық тізбектеріндегі қоңырау мен электр шуды азайтады, осылайша коммутациялық транзистордағы қуат жоғалуын азайтады.
2 Мүмкіндіктер
Төмен қуат жоғалуы,
жоғары тиімділік төмен тікелей кернеу,
жоғары ток қабілеттілігі Жоғары кернеу қуаты
Өте жылдам қалпына келтіру уақыты
жоғары кернеу
3 Қолданбалар
Қуат көзін ауыстыру
Қуатты коммутациялау сұлбалары
Инверторлық қуат көзі
VBR | VF(бірлік)(MAX) | IF(AV)(бір) |
200 В | 1,0 В | 40А |
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. 2004 жылдың желтоқсан айында Цзянсу провинциясы, Уси қаласы, Синьву ауданы, Шуофан, Чжунтонг шығыс жолы, № 88 мекенжайында орналасқан.Ол 15000 м2 аумақты алып жатыр.Жарғылық капиталы 81,5 миллион юань.Оның жылына 500 миллион электр қуатын өндіретін өндірістік желісі бар
2004 жылдың желтоқсанында құрылған Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Цзянсу провинциясы, Уси қаласы, Синьву ауданы, Шуофан қаласы, Шығыс Чжунтун жолының № 88 мекенжайында орналасқан.Аумағы 15 000 шаршы метр және жарғылық капиталы 81,50 миллион юань, бұл жоғары технологиялық кәсіпорны.
2004 жылдың желтоқсанында құрылған Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Цзянсу провинциясы, Уси қаласы, Синьву ауданы, Шуофан қаласы, Шығыс Чжунтун жолының № 88 мекенжайында орналасқан.Аумағы 15 000 шаршы метр және жарғылық капиталы 81,50 миллион юань, бұл жоғары технологиялық кәсіпорны.
2004 жылдың желтоқсанында құрылған Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Цзянсу провинциясы, Уси қаласы, Синьву ауданы, Шуофан қаласы, Шығыс Чжунтун жолының № 88 мекенжайында орналасқан.Аумағы 15 000 шаршы метр және жарғылық капиталы 81,50 миллион юань, бұл жоғары технологиялық кәсіпорны.
2004 жылдың желтоқсанында құрылған Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Цзянсу провинциясы, Уси қаласы, Синьву ауданы, Шуофан қаласы, Шығыс Чжунтун жолының № 88 мекенжайында орналасқан.Аумағы 15 000 шаршы метр және жарғылық капиталы 81,50 миллион юань, бұл жоғары технологиялық кәсіпорны.
2004 жылдың желтоқсанында құрылған Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Цзянсу провинциясы, Уси қаласы, Синьву ауданы, Шуофан қаласы, Шығыс Чжунтун жолының № 88 мекенжайында орналасқан.Аумағы 15 000 шаршы метр және жарғылық капиталы 81,50 миллион юань, бұл жоғары технологиялық кәсіпорны.