DCCF075M120G2C
WXDH
40A 1200V NチャンネルSiCパワーMOSFET
1 説明
この製品ファミリーは最先端のパフォーマンスを提供します。高効率と高信頼性が要求される高周波アプリケーション向けに設計されています。
2 特徴
● システム効率の向上
● 冷却要件の軽減
● 電力密度の向上
● システムのスイッチング周波数の増加
3 アプリケーション
● 電源。
●高電圧DC/DCコンバータ。
●モータードライブ。
● スイッチモード電源
● パルス電源アプリケーション
VDSS | RDS(オン)(TYP) | ID |
1200V | 75mΩ | 41A |
40A 1200V NチャンネルSiCパワーMOSFET
1 説明
この製品ファミリーは最先端のパフォーマンスを提供します。高効率と高信頼性が要求される高周波アプリケーション向けに設計されています。
2 特徴
● システム効率の向上
● 冷却要件の軽減
● 電力密度の向上
● システムのスイッチング周波数の増加
3 アプリケーション
● 電源。
●高電圧DC/DCコンバータ。
●モータードライブ。
● スイッチモード電源
● パルス電源アプリケーション
VDSS | RDS(オン)(TYP) | ID |
1200V | 75mΩ | 41A |
江蘇東海半導体有限公司は、2004 年 12 月に江蘇省無錫市新呉区朔芳中通東路 88 号に設立されました。面積は15000平方メートルです。登録資本金は8,150万元です。年間5億電力の生産ラインを持っています。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔方鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔方鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔方鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔方鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔方鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。