Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
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MOSFET de potencia SiC de canal N 40A 1200V TO-247-4

MOSFET de potencia SiC de canal N de 40 A y 1200 V
Disponibilidad:
Cantidad:
  • DCCF075M120G2C

  • WXDH

MOSFET de potencia de SiC de canal N de 40 A y 1200 V


1. Descripción 

Esta familia de productos ofrece un rendimiento de última generación.Está diseñado para aplicaciones de alta frecuencia donde se requiere alta eficiencia y alta confiabilidad. 


2 características 

● Mayor eficiencia del sistema 

● Requisitos de refrigeración reducidos 

● Mayor densidad de energía 

● Mayor frecuencia de conmutación del sistema 


3 aplicaciones 

● Fuentes de alimentación. 

● Convertidores CC/CC de Alta Tensión. 

● Accionamientos de motores. 

● Fuentes de alimentación de modo conmutado 

● Aplicaciones de energía pulsada


VDSS RDS (activado) (TIPO) IDENTIFICACIÓN
1200V 75mΩ 41A


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