江蘇東海半導体有限公司
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DH100P20D

これらの P チャネル強化型 VDMOSFET は、高度なトレンチ技術と設計を使用しており、低いゲート電荷で優れた Rdson を実現します。RoHS規格に準拠しています。
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説明

これらの P チャネル強化型 VDMOSFET は、高度なトレンチ技術と設計を使用しており、低いゲート電荷で優れた Rdson を実現します。RoHS規格に準拠しています。

特徴

●高速スイッチング

● 低いオン抵抗

● 低いゲートチャージ

● 低い逆転送容量

● 100% シングルパルス雪崩エネルギー試験

● 100% ΔVDS テスト

アプリケーション

●モータードライバーに最適です。

●スイッチングレギュレータ

● コンバーターとリレードライバー

● アラート者


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