説明
これらの P チャネル強化型 VDMOSFET は、高度なトレンチ技術と設計を使用しており、低いゲート電荷で優れた Rdson を実現します。RoHS規格に準拠しています。
特徴
●高速スイッチング
● 低いオン抵抗
● 低いゲートチャージ
● 低い逆転送容量
● 100% シングルパルス雪崩エネルギー試験
● 100% ΔVDS テスト
アプリケーション
●モータードライバーに最適です。
●スイッチングレギュレータ
● コンバーターとリレードライバー
● アラート者
説明
これらの P チャネル強化型 VDMOSFET は、高度なトレンチ技術と設計を使用しており、低いゲート電荷で優れた Rdson を実現します。RoHS規格に準拠しています。
特徴
●高速スイッチング
● 低いオン抵抗
● 低いゲートチャージ
● 低い逆転送容量
● 100% シングルパルス雪崩エネルギー試験
● 100% ΔVDS テスト
アプリケーション
●モータードライバーに最適です。
●スイッチングレギュレータ
● コンバーターとリレードライバー
● アラート者
江蘇東海半導体有限公司は、2004 年 12 月に江蘇省無錫市新呉区朔芳中通東路 88 号に設立されました。面積は15000平方メートルです。登録資本金は8,150万元です。年間5億電力の生産ラインを持っています。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔方鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔方鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔方鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔方鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔方鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。