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DH100P20D

Diese P-Kanal-verstärkten VDMOSFETs nutzen fortschrittliche Trench-Technologie und Design und bieten einen hervorragenden Rdson mit niedriger Gate-Ladung.Was dem RoHS-Standard entspricht.
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Beschreibung

Diese P-Kanal-verstärkten VDMOSFETs nutzen fortschrittliche Trench-Technologie und Design und bieten einen hervorragenden Rdson mit niedriger Gate-Ladung.Was dem RoHS-Standard entspricht.

Merkmale

● Schnelles Umschalten

● Niedriger EIN-Widerstand

● Niedrige Gate-Ladung

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test

Anwendungen

● Geeignet für Motortreiber.

● Schaltregler

● Konverter und Relaistreiber

● Warner


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