ความพร้อมใช้งาน: | |
---|---|
ปริมาณ: | |
DH019N04
wxdh
ถึง 220C
40V
250A
250A 40V N-Channel Enhance Mode Power MOSFET
1 คำอธิบายโหมดการเพิ่มประสิทธิภาพ N-Channel เหล่านี้ MOSFETs ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องลึกขั้นสูงให้ RDSON ที่ยอดเยี่ยมและชาร์จประตูต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS
2 คุณสมบัติ
●การสลับอย่างรวดเร็ว
●ความต้านทานต่ำ
●ประจุประตูต่ำ
●ความสามารถในการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ
●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100%
●การทดสอบ 100% ΔVDS
3 แอปพลิเคชัน
●แอปพลิเคชันการสลับพลังงาน
●ระบบการจัดการอินเวอร์เตอร์
●เครื่องมือไฟฟ้า
●อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์
VDSS | RDS (ON) (TYP) | รหัสประจำตัว |
40V | 2mΩ | 250A |
250A 40V N-Channel Enhance Mode Power MOSFET
1 คำอธิบายโหมดการเพิ่มประสิทธิภาพ N-Channel เหล่านี้ MOSFETs ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องลึกขั้นสูงให้ RDSON ที่ยอดเยี่ยมและชาร์จประตูต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS
2 คุณสมบัติ
●การสลับอย่างรวดเร็ว
●ความต้านทานต่ำ
●ประจุประตูต่ำ
●ความสามารถในการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ
●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100%
●การทดสอบ 100% ΔVDS
3 แอปพลิเคชัน
●แอปพลิเคชันการสลับพลังงาน
●ระบบการจัดการอินเวอร์เตอร์
●เครื่องมือไฟฟ้า
●อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์
VDSS | RDS (ON) (TYP) | รหัสประจำตัว |
40V | 2mΩ | 250A |