10A 150V ต่ำ SchottkyBarrierDiode MBR10R150CT TO-220C

10A 150V ต่ำ ไดโอดกั้นชอทกี้

1 คำอธิบาย 

วงจรเรียงกระแส Schottky แบบแท็บกึ่งกลางเหมาะสำหรับเซิร์ฟเวอร์ความถี่สูงและสถานีฐานโทรคมนาคม SMPS บรรจุใน TO ภายในบรรจุภัณฑ์ อุปกรณ์นี้รวมอัตรากระแสสูงและปริมาณต่ำเพื่อเพิ่มความน่าเชื่อถือและความหนาแน่นของพลังงานของแอปพลิเคชัน TO-220F ให้แรงดันไฟฟ้าของฉนวนที่ 2000V RMS จากขั้วต่อทั้งสามไปยังฮีทซิงค์ภายนอก 

2 คุณสมบัติ 

มีความสามารถในอุณหภูมิทางแยกสูง 

 กระแสไฟรั่วต่ำ 

 ความต้านทานความร้อนต่ำ 

§ การทำงานด้วยความถี่สูง 

 ข้อมูลจำเพาะของหิมะถล่ม 

3 การใช้งาน 

 การสลับพาวเวอร์ซัพพลาย 

 วงจรสวิตชิ่งกำลัง 

 วัตถุประสงค์ทั่วไป

• 
  

  
  

วีเซส	VF(เดี่ยว)	ถ้า(AV) (เดี่ยว)
150V	0.85V	5เอ