ความพร้อม: | |
---|---|
ปริมาณ: | |
DH066N06
wxdh
ถึง 220C
60V
100A
100A 60V N-Channel Mode Power MOSFET
1 คำอธิบาย
โหมดการปรับปรุง N-Channel Mosfets เหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีสนามเพลาะขั้นสูงให้ RDSON ที่ยอดเยี่ยมและชาร์จประตูต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS
2 คุณสมบัติ
●ความต้านทานต่ำ
●ประจุประตูต่ำ
●การสลับอย่างรวดเร็ว
●ความสามารถในการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ
●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100%
●การทดสอบ 100% ΔVDS
3 แอปพลิเคชัน
●แอปพลิเคชันการสลับพลังงาน
●ระบบการจัดการอินเวอร์เตอร์
●เครื่องมือไฟฟ้า
●อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์
VDSS | RDS (ON) (TYP) | รหัสประจำตัว |
60V | 5.8mΩ | 100A |
100A 60V N-Channel Mode Power MOSFET
1 คำอธิบาย
โหมดการปรับปรุง N-Channel Mosfets เหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีสนามเพลาะขั้นสูงให้ RDSON ที่ยอดเยี่ยมและชาร์จประตูต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS
2 คุณสมบัติ
●ความต้านทานต่ำ
●ประจุประตูต่ำ
●การสลับอย่างรวดเร็ว
●ความสามารถในการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ
●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100%
●การทดสอบ 100% ΔVDS
3 แอปพลิเคชัน
●แอปพลิเคชันการสลับพลังงาน
●ระบบการจัดการอินเวอร์เตอร์
●เครื่องมือไฟฟ้า
●อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์
VDSS | RDS (ON) (TYP) | รหัสประจำตัว |
60V | 5.8mΩ | 100A |