Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
မင်းဒီမှာပါ- အိမ် » ထုတ်ကုန်များ » MOSFET » 400V-1500V N MOS » N-channel မြှင့်တင်မုဒ်ပါဝါ MOSFET 7A 650V F7N65 TO-220F

loading

မျှဝေရန်-
facebook share ခလုတ်
twitter မျှဝေခြင်းခလုတ်
လိုင်းမျှဝေခြင်းခလုတ်
wechat မျှဝေခြင်းခလုတ်
linkedin sharing ကိုနှိပ်ပါ။
pinterest မျှဝေခြင်းခလုတ်
whatsapp မျှဝေခြင်းခလုတ်
ဤမျှဝေမှုအား မျှဝေရန် ခလုတ်ကိုနှိပ်ပါ။

N-channel မြှင့်တင်မုဒ် ပါဝါ MOSFET 7A 650V F7N65 TO-220F

ဤ N-channel မြှင့်တင်ထားသော vdmosfets များသည် conduction ဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချရန်၊ switching self-aligned planar နည်းပညာဖြင့် ရရှိပါသည်။
performance ကို မြှင့်တင်ရန်နှင့် avalanche စွမ်းအင်ကို မြှင့်တင်ပေးသော RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။
ရရှိနိုင်မှု-
အရေအတွက်-
  • F7N65

  • WXDH

N-channel Enhancement Mode ပါဝါ MOSFET 7A 650V


1 ဖော်ပြချက်

ဤ N-channel မြှင့်တင်ထားသော vdmosfets များသည် conduction ဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချရန်၊ switching performance ကို မြှင့်တင်ရန်နှင့် avalanche စွမ်းအင်ကို မြှင့်တင်ပေးသော self-aligned planar နည်းပညာဖြင့် ရရှိပါသည်။RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။TO-220F သည် terminal သုံးခုလုံးမှ ပြင်ပအပူရှိတ်အထိ 2000V RMS တွင် လျှပ်ကာဗို့အားကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။TO-220F စီးရီးများသည် UL စံနှုန်းများနှင့် ကိုက်ညီသည် (File Ref:E252906)။ 


အင်္ဂါရပ် ၂ ခု 

● အမြန်ပြောင်းခြင်း။

● ESD စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးသည်။ 

● ခုခံမှုနည်းသည်(Rdson≤1.4Ω) 

● တံခါးအားသွင်းမှု နည်းသည် (အမျိုးအစား- 24nC) 

● နိမ့်သောပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းစွမ်းရည်(အမျိုးအစား- 5.5pF) 

● 100% single pulse avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု 

● 100% ΔVDS စမ်းသပ်မှု


3 လျှောက်လွှာများ 

● စနစ်အသေးစားနှင့် ပိုမိုမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်အတွက် ပါဝါပြောင်းသည့်ပတ်လမ်းအမျိုးမျိုးတွင် အသုံးပြုသည်။ 

● အီလက်ထရွန်ဘလတ်စ်နှင့် ဒက်တာ၏ ပါဝါခလုတ်ပတ်လမ်း


VDSS  RDS(ဖွင့်ထားသည်) (TYP) အမှတ်သညာ 
650V 1.2Ω 7A



ယခင်- 
နောက်တစ်ခု: 

ကုန်ပစ္စည်းအမျိုးအစား

နောက်ဆုံးရသတင်းများ

  • ကျွန်ုပ်တို့၏သတင်းလွှာအတွက် စာရင်းသွင်းပါ။
  • အနာဂတ်တွင် စာရင်းပေးသွင်းရန် အဆင်သင့်ဖြစ်နေပါစေ။
    သင့်ဝင်စာပုံးတွင် အပ်ဒိတ်များကို တိုက်ရိုက်ရယူရန် ကျွန်ုပ်တို့၏သတင်းလွှာအတွက်