Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 7A 650V F7N65 TO-220F

Questi vdmosfet potenziati a canale N sono ottenuti dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliora
le prestazioni di commutazione e aumenta l'energia della valanga.Che è conforme allo standard RoHS.
Disponibilità:
Quantità:
  • F7N65

  • WXDH

Modalità di miglioramento a canale N MOSFET di potenza 7A 650V


1 Descrizione

Questi vdmosfet potenziati a canale N sono ottenuti dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliora le prestazioni di commutazione e aumenta l'energia della valanga.Che è conforme allo standard RoHS.TO-220F fornisce una tensione di isolamento nominale di 2000 V RMS da tutti e tre i terminali al dissipatore di calore esterno.La serie TO-220F è conforme agli standard UL (rif. file: E252906). 


2 Caratteristiche 

● Commutazione rapida

● Funzionalità ESD migliorata 

● Bassa resistenza (Rdson ≤ 1,4 Ω) 

● Carica gate bassa (tip.: 24nC) 

● Bassa capacità di trasferimento inverso (tipicamente: 5,5 pF) 

● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%. 

● Test ΔVDS al 100%.


3 applicazioni 

● Utilizzato in vari circuiti di commutazione di potenza per la miniaturizzazione del sistema e una maggiore efficienza. 

● Circuito dell'interruttore di alimentazione del reattore elettronico e dell'adattatore


VDSS  RDS(acceso)(TIPO) ID 
650 V 1,2Ω 7A



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