Nandito ka: Home » Mga produkto » MOSFET » 400V-1500V N MOS » 18A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F18N50 TO-220F

Ibahagi sa:

18A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F18N50 TO-220F

Ang mga pinahusay na vdmosfet ng N-channel na ito, ay nakuha ng self-aligned na planar na teknolohiya na nagpapababa sa pagkawala ng pagpapadaloy, nagpapabuti sa pagganap ng paglipat at nagpapahusay sa enerhiya ng avalanche.

Availability:

Dami:



Magtanong Idagdag sa basket

Model:
F18N50
Tatak:
Wxdh
Package:
TO-220F
Datasheet:
英文版F18N50技术规格书.pdf
V:
500V
A:
18A

Paglalarawan ng produkto

18A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Paglalarawan

Ang mga N-channel na pinahusay na VDMOSFETS, ay nakuha ng teknolohiyang planar na nakahanay sa sarili na binabawasan ang pagkawala ng pagpapadaloy, pagbutihin ang paglipat ng pagganap at mapahusay ang enerhiya ng avalanche. Na naaayon sa pamantayan ng ROHS. Ang TO-220F ay nagbibigay ng boltahe ng pagkakabukod na na-rate sa 2000V RMS mula sa lahat ng tatlong mga terminal hanggang sa panlabas na heatsink. Ang serye ng TO-220F ay sumunod sa mga pamantayan ng UL (File Ref: E252906).

2 Mga Tampok

● Mabilis na paglipat

● pinahusay na kakayahan ng ESD

● Mababa ang resistensya (Rdson≤0.35Ω)

● Mababang gate charge(Typ: 52nC)

● Mababang reverse transfer capacitances(Typ: 16pF)

● 100% Single Pulse Avalanche Energy Test

● 100% ΔVDS test

3 mga aplikasyon

● Ginamit sa iba't ibang circuit ng paglipat ng kuryente para sa system miniaturization at mas mataas na kahusayan.

● Power switch circuit ng electron ballast at adapter.

VDSS	RDS(on)（TYP)	ID
500V	0.24Ω	18.0A

Nakaraan:

Susunod:

MOSFET