Wuxi, Kina – 28. juni 2025 – Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. , en førende Kinesisk halvledervirksomhed med speciale i strømenheder og integrerede kredsløb i bilindustrien er blevet hædret med '2024 Automotive Electronics Outstanding Innovative Product Award' ved det 14. Internationale Automotive Electronics Industry Summit (IAEIS 2025), afholdt i Shenzhen. Afholdt af Shenzhen Automotive Electronics Industry Association var topmødet temaet 'AI Empowerment · Steadfast Innovation · Building a Global Smart Automotive Ecosystem' og samlede topstemmer fra den globale automobilelektronikindustri.
Ved denne højprofilerede begivenhed skilte Donghai Semiconductor sig ud fra et konkurrencedygtigt felt takket være dets brancheførende krafthalvlederløsninger og innovationsdrevet produktstrategi. Prisen fremhæver ikke kun markedsværdien og den tekniske ekspertise af Donghais bilelektronikprodukter, men validerer også virksomhedens langsigtede investering i avanceret halvlederteknologi.
Styrker fremtiden for bilelektronik
Donghai Semiconductor blev grundlagt i 2004 og har hovedkontor i Wuxi, Jiangsu-provinsen, og er en national højteknologisk virksomhed med en produktionskapacitet på 500 millioner enheder årligt. Dets mangfoldige produktsortiment inkluderer:
MOSFET'er (inklusive TrenchMOS og Super Junction MOS),
SCR'er, SGT MOS og diodeløsninger i bilindustrien.
Disse komponenter spiller en afgørende rolle i elektriske køretøjer (EV), indbyggede opladere (OBC), batteristyringssystemer, ladestationer, bilbelysning, smarte kørselscontrollere og meget mere. Donghais strømenheder er også bredt brugt i industriel elektronik, forbrugerapparater, 5G-basestationsstrøm og nye energisystemer som fotovoltaiske invertere og lithiumenergilagring.
Innovation bakket op af stærk R&D og intellektuel ejendomsret
Donghai har længe betragtet teknologisk innovation som en hjørnesten i dets udvikling. Virksomheden driver fire avancerede laboratorier og har nøgletitler, herunder:
Jiangsu Provincial Enterprise Technology Center
Automotive Electronics Power Device Chip Engineering Technology Research Center
Power Semiconductor Technology Innovation Center
Virksomhedens kerne-R&D-team, sammensat af ingeniører med over 20 års erfaring inden for design og fremstilling af power-enheder, driver gennembrud inden for teknologier som SiC, IGBT og super junction MOSFET'er.
Til dato har Donghai Semiconductor mere end 100 nationale patenter, der dækker krafthalvlederenhedsarkitektur, bilchipdesign, avancerede pakkeprocesser og intelligente kontrolalgoritmer – et vidnesbyrd om dets stærke tekniske fundament og ubarmhjertige stræben efter innovation.
En milepæl for Donghais Automotive Electronics Strategy
'Denne pris er en anerkendelse af vores R&D-teams hårde arbejde, og den inspirerer os til at blive ved med at skubbe grænserne for halvlederinnovation,' sagde en talsmand for Donghai Semiconductor. 'Vi er fortsat forpligtet til at udvikle banebrydende, pålidelige og effektive halvlederløsninger til at understøtte fremtiden for intelligent bilelektronik på verdensplan.'
Efterhånden som den globale bilindustri hurtigt udvikler sig mod elektrificering og intelligens, vil Donghai Semiconductor fortsætte med at fokusere på højtydende løsninger i bilindustrien, der styrker udviklingen af det smarte mobilitetsøkosystem med pålidelige og innovative kinesisk-fremstillede bilchips.
