: | |
---|---|
Mængde: | |
MUR3030CT
WXDH
MUR3030CT
TO-220-2L
300v
30a
30A 300V Hurtig opsving Diode
1 Beskrivelse
30A, 300V ultrahastede dioder De har et lavt fremadrettet spændingsfald og er af plan, siliciumnitrid-passiveret, ionimplanteret, epitaksial konstruktion. Disse enheder er beregnet til brug som energestyring/klemmedioder og ensretter i en række skifte strømforsyninger og andre strømafbrydere applikationer. Deres lave lagrede ladning og ultrahastiske gendannelse med bløde genvindingskarakteristika minimerer ringning og elektrisk støj i mange strømafbryderkredsløb, hvilket reducerer effekttab i skifttransistoren TO-220F giver isoleringsspænding klassificeret til 2000V RMS fra alle tre terminaler til eksterne varmebilleder.
2 funktioner
Lavt effekttab,
Høj effektivitet lav fremadspænding,
Høj strøm kapacitet Høj overspændingskapacitet
Super hurtig gendannelsestider
Højspænding
3 applikationer
Skifte strømforsyning
strømafbryderkredsløb
Generelt formål
VBR | Vf (single) (max) | Hvis (av) (single) |
300v | 1.3V | 15a |
30A 300V Hurtig opsving Diode
1 Beskrivelse
30A, 300V ultrahastede dioder De har et lavt fremadrettet spændingsfald og er af plan, siliciumnitrid-passiveret, ionimplanteret, epitaksial konstruktion. Disse enheder er beregnet til brug som energestyring/klemmedioder og ensretter i en række skifte strømforsyninger og andre strømafbrydere applikationer. Deres lave lagrede ladning og ultrahastiske gendannelse med bløde genvindingskarakteristika minimerer ringning og elektrisk støj i mange strømafbryderkredsløb, hvilket reducerer effekttab i skifttransistoren TO-220F giver isoleringsspænding klassificeret til 2000V RMS fra alle tre terminaler til eksterne varmebilleder.
2 funktioner
Lavt effekttab,
Høj effektivitet lav fremadspænding,
Høj strøm kapacitet Høj overspændingskapacitet
Super hurtig gendannelsestider
Højspænding
3 applikationer
Skifte strømforsyning
strømafbryderkredsløb
Generelt formål
VBR | Vf (single) (max) | Hvis (av) (single) |
300v | 1.3V | 15a |