10A 700V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET F10N70 TO-220F

10A 700V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET

1 Beskrivelse

Disse N-kanals forbedrede vdmosfets er opnået af den selvjusterede plane teknologi, som reducerer ledningstabet, forbedrer koblingsydelsen og forbedrer lavineenergien. Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden. TO-220F giver isolationsspænding vurderet til 2000V RMS fra alle tre terminaler til ekstern heatsink. TO-220F-serien overholder UL-standarder (Fil ref: E252906). 

2 funktioner

● Hurtigt skifte

● ESD forbedret kapacitet 

● Lav modstand (Rdson≤1,1Ω) 

● Lav portladning (Type: 34nC)

● Lave omvendte overførselskapacitanser (Type: 6,2pF) 

● 100 % enkeltpuls lavineenergitest 

● 100 % ΔVDS-test 

3 Ansøgninger

● Anvendes i forskellige strømomskifterkredsløb til systemminiaturisering og højere effektivitet. 

● Strømafbryderkredsløb for elektronballast og adapter.

VDSS	RDS(on)(TYP)	ID
700V	0,96 Ω	10A