Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sunteți aici: Acasă » Produse » MOSFET » 400V-1500V N MOS » F7N80

Se încarcă

Distribuie la:
butonul de partajare pe facebook
butonul de partajare pe Twitter
butonul de partajare a liniilor
butonul de partajare wechat
butonul de partajare linkedin
butonul de partajare pe pinterest
butonul de partajare whatsapp
partajați acest buton de partajare

F7N80

Aceste vdmosfeturi îmbunătățite cu canal N, sunt obținute prin tehnologia plană auto-aliniată, care reduce pierderea de conducție, îmbunătățește performanța de comutare și sporește energia de avalanșă.Ceea ce este în conformitate cu standardul RoHS.TO-220F furnizează o tensiune de izolație de 2000 V RMS de la toate cele trei terminale la radiatorul extern.Seria TO-220F respectă standardele UL.
Disponibilitate:
Cantitate:

Descriere

Aceste vdmosfeturi îmbunătățite cu canal N, sunt obținute prin tehnologia plană auto-aliniată, care reduce pierderea de conducție, îmbunătățește performanța de comutare și sporește energia de avalanșă.Ceea ce este în conformitate cu standardul RoHS.TO-220F furnizează o tensiune de izolație de 2000 V RMS de la toate cele trei terminale la radiatorul extern.Seria TO-220F respectă standardele UL.

Caracteristici

● Comutare rapidă

● Capacitate îmbunătățită ESD

● Rezistență scăzută (Rdson≤1,8Ω)

● Încărcare scăzută de poartă (Tip: 33,9 nC)

● Capacitate scăzute de transfer invers (Tip: 11,2 pF)

● Test de energie de avalanșă cu un singur impuls 100%.

● Test 100% ΔVDS

Aplicații

● Folosit în diferite circuite de comutare a puterii pentru miniaturizarea sistemului și eficiență mai mare.

● Circuitul comutatorului de alimentare al balastului electronic și al adaptorului.


Anterior: 
Următorul: 

Categorie produs

Cele mai recente știri

  • Înscrieți-vă pentru newsletter-ul nostru
  • pregătiți-vă pentru viitorul
    înscriere la buletinul nostru informativ pentru a primi actualizări direct în căsuța dvs. de e-mail