江蘇東海半導体有限公司
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50A 30V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET

50A 30V N チャネル エンハンスメント モード パワー MOSFET
在庫状況:
数量:
  • 50N03/B50N03/D50N03

  • WXDH

50A 30V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET


1 説明 

これらの N チャネル強化 VDMOSFET は高度なトレンチ技術設計を使用しており、優れた Rdson と低いゲート電荷を実現します。RoHS規格に準拠しています。 


2 特徴 

●低スイッチング損失 

● 低オン抵抗(Rdson≤11mΩ) 

● 低いゲートチャージ(Typ: 22nC) 

● 低い逆転送容量(Typ: 130pF) 

● 100% シングルパルス雪崩エネルギー試験 

● 100% ΔVDS テスト 


3 アプリケーション 

●電源スイッチング用途 

● ハードスイッチ回路と高周波回路 

●電動工具 

● カーエレクトロニクス 

●無停電電源装置。

VDSS RDS(オン)(TYP) ID
30V 9mΩ 50A


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