50N03/B50N03/D50N03
WXDH
50A 30V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET
1 説明
これらの N チャネル強化 VDMOSFET は高度なトレンチ技術設計を使用しており、優れた Rdson と低いゲート電荷を実現します。RoHS規格に準拠しています。
2 特徴
●低スイッチング損失
● 低オン抵抗(Rdson≤11mΩ)
● 低いゲートチャージ(Typ: 22nC)
● 低い逆転送容量(Typ: 130pF)
● 100% シングルパルス雪崩エネルギー試験
● 100% ΔVDS テスト
3 アプリケーション
●電源スイッチング用途
● ハードスイッチ回路と高周波回路
●電動工具
● カーエレクトロニクス
●無停電電源装置。
VDSS | RDS(オン)(TYP) | ID |
30V | 9mΩ | 50A |
50A 30V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET
1 説明
これらの N チャネル強化 VDMOSFET は高度なトレンチ技術設計を使用しており、優れた Rdson と低いゲート電荷を実現します。RoHS規格に準拠しています。
2 特徴
●低スイッチング損失
● 低オン抵抗(Rdson≤11mΩ)
● 低いゲートチャージ(Typ: 22nC)
● 低い逆転送容量(Typ: 130pF)
● 100% シングルパルス雪崩エネルギー試験
● 100% ΔVDS テスト
3 アプリケーション
●電源スイッチング用途
● ハードスイッチ回路と高周波回路
●電動工具
● カーエレクトロニクス
●無停電電源装置。
VDSS | RDS(オン)(TYP) | ID |
30V | 9mΩ | 50A |
江蘇東海半導体有限公司は、2004 年 12 月に江蘇省無錫市新呉区朔芳中通東路 88 号に設立されました。面積は15000平方メートルです。登録資本金は8,150万元です。年間5億電力の生産ラインを持っています。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔方鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔方鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔方鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔方鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔方鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。