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Transistor bipolare a cancello isolato Trenchstop 50A 650V G50T65DS TO-247S

Utilizzando il design Trench proprietario di DongHai e la tecnologia FS avanzata, l'IGBT FS da 650 V offre prestazioni di commutazione superiori, elevata robustezza a valanga, facile funzionamento in parallelo
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  • G50T65DS

  • WXDH

Transistor bipolare a gate isolato Trenchstop da 50 A 650 V


1 Caratteristiche 

● Tecnologia FS Trench, coefficiente di temperatura positivo 

● Bassa tensione di saturazione: VCE(sat), tipica = 2,0 V @ IC =50 A e Tj =25°C

● Capacità valanghe estremamente migliorata


3 applicazioni

● Saldatura 

●UPS

● Invertitore a tre livelli

VCE Vcesat,Tj=25℃ Circuito integrato Tjmax Pacchetto
650 V 2,0 V 50A  175 ℃ TO-247S


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IGBT

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