Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Koti » Tuotteet » IGBT-MODUULI » PIM » IGBTModul DGB800H120L2T

Ladataan

Jakaa:
Facebookin jakamispainike
Twitterin jakamispainike
linjan jakamispainike
wechatin jakamispainike
linkedinin jakamispainike
pinterestin jakamispainike
whatsapp jakamispainike
jaa tämä jakamispainike

IGBTM-moduuli DGB800H120L2T

Nämä eristetyt kaksinapaiset transistorit käyttivät edistynyttä kaivaus- ja Fieldstop-tekniikkaa, tarjoten erinomaisen VCEsat-toiminnon ja kytkentänopeuden
, alhaisen portin latauksen.Joka on RoHS-standardin mukainen.
Saatavuus:
Määrä:
  • DGB800H120L2T

  • LXDH

800A 1200V puolisiltamoduuli


1 Kuvaus 

Nämä eristetyt kaksinapaiset transistorit käyttivät edistynyttä kaivanto- ja Fieldstop-tekniikkaa, tarjoten erinomaisen VCEsat-toiminnon ja kytkentänopeuden, alhaisen porttilatauksen.Joka on RoHS-standardin mukainen. 


2 Ominaisuudet 

● FS Trench Technology, positiivinen lämpötilakerroin

● Matala kyllästysjännite: VCE (sat), tyyppi = 1,7 V @ IC = 800 A ja Tj = 25 °C

● Erittäin parannettu lumivyörykyky


3 Sovellukset 

  •  Hitsaus 

  •  UPS 

  •  Kolmiportainen invertteri 

  •  AC- ja DC-servotaajuusmuuttajavahvistin

Tyyppi VCE Ic VCEsat, Tj = 25 ℃ Tjop Paketti
DGQ450C65M2T 1200V 800A (Tj = 100 ℃) 1,7 V (tyyppi) 175℃ 62 mm


Edellinen: 
Seuraava: 
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi