Tilgængelighed: | |
---|---|
Antal: | |
MUR60FU60FCT
WXDH
60A 600V Hurtig genoprettelsesdiode
1 Beskrivelse
60A, 600V ultrahurtige dioder De har et lavt fremadrettet spændingsfald og er af plan, siliciumnitridpassiveret, ionimplanteret, epitaksial konstruktion.Disse enheder er beregnet til brug som energistyrings-/spændedioder og ensrettere i en række forskellige strømforsyninger og andre strømskifteapplikationer.Deres lave lagrede ladning og ultrahurtige genopretning med bløde gendannelseskarakteristika minimerer ringetoner og elektrisk støj i mange strømkoblingskredsløb og reducerer dermed strømtabet i koblingstransistoren TO-3PF giver isolationsspænding vurderet til 2000V RMS fra alle tre terminaler til ekstern heatsink.
2 funktioner
Lavt strømtab,
høj effektivitet Lav fremadspænding,
høj strømkapacitet Høj overspændingskapacitet
Super hurtige restitutionstider
højspænding
3 Ansøgninger
Skift af strømforsyning
Strømskiftende kredsløb
Generelle formål
VBR | VF(enkelt)(MAX) | HVIS(AV)(enkelt) |
600V | 1,7V | 30A |
60A 600V Hurtig genoprettelsesdiode
1 Beskrivelse
60A, 600V ultrahurtige dioder De har et lavt fremadrettet spændingsfald og er af plan, siliciumnitridpassiveret, ionimplanteret, epitaksial konstruktion.Disse enheder er beregnet til brug som energistyrings-/spændedioder og ensrettere i en række forskellige strømforsyninger og andre strømskifteapplikationer.Deres lave lagrede ladning og ultrahurtige genopretning med bløde gendannelseskarakteristika minimerer ringetoner og elektrisk støj i mange strømkoblingskredsløb og reducerer dermed strømtabet i koblingstransistoren TO-3PF giver isolationsspænding vurderet til 2000V RMS fra alle tre terminaler til ekstern heatsink.
2 funktioner
Lavt strømtab,
høj effektivitet Lav fremadspænding,
høj strømkapacitet Høj overspændingskapacitet
Super hurtige restitutionstider
højspænding
3 Ansøgninger
Skift af strømforsyning
Strømskiftende kredsløb
Generelle formål
VBR | VF(enkelt)(MAX) | HVIS(AV)(enkelt) |
600V | 1,7V | 30A |
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. blev etableret i december 2004, beliggende på nr. 88, Zhongtong East Road, Shuofang, Xinwu District, Wuxi by, Jiangsu-provinsen.Det dækker et areal på 15000m2.Den registrerede kapital er 81,5 millioner yuan.Det har en årlig produktionslinje på 500 millioner power de
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., som blev etableret i december 2004, er beliggende på nr. 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu-provinsen.Med et areal på 15.000 kvadratmeter og en registreret kapital på 81,50 millioner yuan, er det en højteknologisk virksomhed majors
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., som blev etableret i december 2004, er beliggende på nr. 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu-provinsen.Med et areal på 15.000 kvadratmeter og en registreret kapital på 81,50 millioner yuan, er det en højteknologisk virksomhed majors
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., som blev etableret i december 2004, er beliggende på nr. 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu-provinsen.Med et areal på 15.000 kvadratmeter og en registreret kapital på 81,50 millioner yuan, er det en højteknologisk virksomhed majors
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., som blev etableret i december 2004, er beliggende på nr. 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu-provinsen.Med et areal på 15.000 kvadratmeter og en registreret kapital på 81,50 millioner yuan, er det en højteknologisk virksomhed majors
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., som blev etableret i december 2004, er beliggende på nr. 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu-provinsen.Med et areal på 15.000 kvadratmeter og en registreret kapital på 81,50 millioner yuan, er det en højteknologisk virksomhed majors