Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du er her: Hjem » Produkter » IGBT » 600V-650V » 20A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor DGC20F65M2 TO-247-3L

Indlæser

Del til:
facebook delingsknap
twitter-delingsknap
knap til linjedeling
wechat-delingsknap
linkedin-delingsknap
pinterest delingsknap
whatsapp delingsknap
del denne delingsknap

20A 650V Trenchstop Isoleret Gate Bipolar Transistor DGC20F65M2 TO-247-3L

Ved at bruge DongHai's proprietære Trench-design og avancerede FS-teknologi, tilbyder 650V FS IGBT overlegen og skiftende ydeevne, høj lavine robusthed nem paralleldrift
Tilgængelighed:
Antal:
  • DGC20F65M2

  • WXDH

20A 650V Trenchstop Isoleret Gate Bipolar Transistor


1 Beskrivelse 

Ved at bruge DongHai's proprietære Trench-design og avancerede FS-teknologi, tilbyder 650V FS IGBT overlegen og skiftende ydeevne, høj lavine robusthed nem parallel betjening 


2 funktioner

● FS Trench Technology, positiv temperaturkoefficient 

● Lav mætningsspænding: VCE(sat), typ = 1,8V @ IC =20A og Tj =25°C

● Ekstremt forbedret lavinekapacitet 


3 Ansøgninger 

● Svejsning 

● UPS 

● Tre-niveau inverter


VDSS Vcesat,Tj=25℃ ID
650V 1,8V 20A


Tidligere: 
Næste: 

Produktkategori

Seneste nyt

  • Skriv dig op til vores nyhedsbrev
  • gør dig klar til fremtiden
    tilmeld dig vores nyhedsbrev for at få opdateringer direkte i din indbakke
    Abonner